開機延遲時間測試：
開關(guān)電源使用的半導體功率器件，在上電和斷電時都會受到?jīng)_擊。所以需要對開關(guān)電源進行電源開關(guān)循環(huán)試驗，測試電源在滿載的情況下是否能連續(xù)承受開關(guān)操作下的沖擊，確保電源的耐久性。

測試條件：將被測電源放置在室溫環(huán)境中，輸入電壓115Vac/230Vac，輸出負載為滿載。將被測電源開關(guān)ON，持續(xù)時間為5s，然后將開關(guān)撥到OFF，持續(xù)時間5s，重復(fù)此過程。一次開關(guān)的過程為一個測試周期，整個試驗需持續(xù)至少5000個周期。試驗過程中每完成1000個周期，記錄被測開關(guān)電源的輸入功率和輸出電壓。待試驗結(jié)束后，如果待測產(chǎn)品在試驗前后的電氣性能沒有差異，則通過此試驗。

這需要測試設(shè)備具有足夠長的存儲，可以在保持較高采樣率的情況下進行長期波形捕捉。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使晶體管截止。因此，IGBT**可靠與否主要由以下因素決定：

? IGBT柵極與發(fā)射極、集電極與發(fā)射極之間的電壓
? 流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流
? IGBT的結(jié)溫

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